Плата (без компонентів) для самостійного складання підсилювача потужності низької частоти на польових транзиссторах 200 Вт, LANZAR-MOSFET, на IRF640+IRF9640 (IRFP240+IRFP9240)
 Uпит.макс --- +/-55 при Rнагр. 4 Ом.
+/-60 при Rнагр. 8 Ом. 
Рмакс. --- 200 Вт при Rнагр. 4 Ом.

Uвх --- 1В. 

Кусил. --- 28
Струм спокою — 70-100 мА
КНІ --- 0,04 (за 2/3 Р.макс)
Rвх. --- 27кОм
Співвідношення сигнал/шум — 90 дБ
Швидкість наростання Uвих — 50 В/мкС 
Розмір плати — 98 х 72 мм.

1. Резистори R3, R6 розрахувати за формулою: R = (Uплеча — 15 В)/0.01 (кОм).

2. Транзистори VT5 -VT7, VT10 -VT13 розмістити через ізолювальні прокладки на радіаторі площею не менш ніж 1000 кв. см із застосуванням теплопровідної пасти.

3. Струм спокою 70...100 мА встановити резистором R15 після прогрівання підсилювача під навантаженням (через 15...30 хв роботи). Перед встановленням струму закоротити ХР 1 і зняти навантаження з ХР 3. Контроль встановлення струму спокою здійснюється за міліметра, приєднаного до джерел VT12 и VT13 (или VT10 и VT11). Показання міліметра має бути 30...44 мВ.

Плата якісна (див. фото), схема в комплекті!