Транзистор IGBT STMicroelectronics STGW80H65DFB — біполярний транзистор з ізольованим затвором у корпусі TO247-3, тип монтажу — вставний. Основні параметри з найменування TME: 650 В, 80 А, 470 Вт. У наборі 5 шт.

• Параметри з найменування TME: 650 В, 80 А, 470 Вт
• Максимально допустима напруга колектор-емітер: 650 В
• Напруга затвор-емітер: ±20 В
• Заряд затвора: 414 нКл
• Корпус: TO247-3
• Кількість у наборі: 5 шт.

Максимально допустима напруга колектор-емітер — 650 В. Максимальна потужність розсіювання — 470 Вт. Напруга затвор-емітер — ±20 В. Заряд затвора — 414 нКл. Транзистор має вбудований антипаралельний діод.