Натисніть знайти для пошуку
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP20NM60, 600 В, 12,6 А (5 шт.)
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP20NM60, 600 В, 12,6 А (5 шт.)
Характеристики та опис

Основні

ВиробникSTMicroelectronics
Максимальна потужність розсіювання192 Вт
Максимально допустима напруга затвор-витік30 В
Максимально допустима напруга стік-витік600 В
Максимально допустимий струм стоку12.60 А
Опір у відкритому стані (Rds)290 mOm

Додаткові характеристики

СтанНовий

Основні

Тип монтажуВставний
Тип транзистораПольовий

Користувальницькі характеристики

Гарантійний термін12 міс
Кількість у комплекті5 шт.
КорпусTO220-3
ТехнологіяMDmesh™

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP20NM60 — це польовий транзистор з каналом, що збагачується, у корпусі TO220-3. Пристрій розрахований на максимальну напругу сток-виток 600 В та струм стоку 12,6 А. У комплекті поставляється 5 одиниць.

  • Тип транзистора: польовий N-MOSFET
  • Максимальна напруга стік-витік: 600 В
  • Максимальний струм стоку: 12,6 А
  • Потужність розсіювання: 192 Вт
  • Корпус: TO220-3
  • Кількість у комплекті: 5 шт.
Електричні параметри

Транзистор має максимальну напругу стік-витік 600 В та напругу затвор-витік 30 В. Максимально допустимий струм стоку становить 12,6 А, а імпульсний струм — 80 А. Максимальна потужність розсіювання дорівнює 192 Вт. Опір у відкритому стані (Rds) — 290 мОм.

Технологія та конструкція

Компонент виготовлений за технологією MDmesh™ та має уніполярну структуру. Корпус TO220-3 призначений для вставного монтажу.

Заряд затвора та комплектація

Заряд затвора становить 54 нКл. У наборі міститься 5 транзисторів STP20NM60.

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP20NM60, 600 В, 12,6 А (5 шт.)

Недоступний
Код: TM020920
3 190 ₴
Способи оплати
Безпечна оплата
  • Як післяплата, тільки без переплат
  • Повернем гроші, якщо щось піде не так
  • Bigl гарантує безпеку
Післяплата
Нова Пошта, Самовивіз
Способи доставки
Нова Пошта — від 70 грн
Самовивіз
Умови повернення
Повернення товару впродовж 14 днів
Чат