Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP20NM60 — це польовий транзистор з каналом, що збагачується, у корпусі TO220-3. Пристрій розрахований на максимальну напругу сток-виток 600 В та струм стоку 12,6 А. У комплекті поставляється 5 одиниць.
- Тип транзистора: польовий N-MOSFET
- Максимальна напруга стік-витік: 600 В
- Максимальний струм стоку: 12,6 А
- Потужність розсіювання: 192 Вт
- Корпус: TO220-3
- Кількість у комплекті: 5 шт.
Електричні параметри
Транзистор має максимальну напругу стік-витік 600 В та напругу затвор-витік 30 В. Максимально допустимий струм стоку становить 12,6 А, а імпульсний струм — 80 А. Максимальна потужність розсіювання дорівнює 192 Вт. Опір у відкритому стані (Rds) — 290 мОм.
Технологія та конструкція
Компонент виготовлений за технологією MDmesh™ та має уніполярну структуру. Корпус TO220-3 призначений для вставного монтажу.
Заряд затвора та комплектація
Заряд затвора становить 54 нКл. У наборі міститься 5 транзисторів STP20NM60.