Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP18N60M2 — це польовий транзистор з технологією MDmesh™ II Plus у корпусі TO220-3. Пристрій має максимальну напругу стік-витік 650 В та струм стоку 8 А.

• Тип транзистора: N-MOSFET (польовий)
• Максимальна напруга стік-витік: 650 В
• Максимальний струм стоку: 8 А
• Потужність розсіювання: 110 Вт
• Опір у відкритому стані: 280 мОм
• Корпус: TO220-3, вставний монтаж
• Комплектація: 10 шт.

Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-витік 650 В та напругу затвор-витік 25 В. Максимально допустимий струм стоку становить 8 А, а опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 280 мОм. Максимальна потужність розсіювання — 110 Вт.

Компонент виготовлений за технологією MDmesh™ II Plus і має версію ESD. Корпус TO220-3 призначений для вставного монтажу. Канал транзистора є збагачуваним, а полярність — уніполярною.