Діод Шоткі BASiC SEMICONDUCTOR B2D20120HC1 — напівпровідниковий прилад на основі карбіду кремнію (SiC) у корпусі TO247-3. Комплект складається з 5 одиниць із подвійною структурою та спільною катодом.

• Тип діода: Шоткі
• Технологія: SiC (карбід кремнію)
• Максимальна зворотна напруга: 1200 В
• Максимальний прямий струм: 20 А
• Корпус: TO247-3, вставний монтаж
• Кількість у комплекті: 5 шт.

Максимальна постійна зворотна напруга діода становить 1200 В, що визначає його робочий діапазон у високовольтних ланцюгах. Максимальний прямий струм дорівнює 20 А, а максимальна пряма напруга — 2 В. Максимально допустимий прямий імпульсний струм сягає 90 А, а максимальний зворотний струм обмежений значенням 40 мкА.

Прилад виготовлений за технологією SiC (карбід кремнію) і має подвійну структуру зі спільною катодом. Корпус TO247-3 призначений для вставного монтажу (THT). Максимальна потужність розсіювання становить 60 Вт.

У комплект поставки входить 5 шт. діодів BASiC SEMICONDUCTOR B2D20120HC1.