Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP42N65M5 — силовий польовий транзистор з технологією MDmesh™ V. Пристрій розрахований на максимальну напругу стік-витік 650 В та струм стоку 20.8 А при потужності розсіювання 190 Вт.

• Тип транзистора: польовий N-MOSFET
• Максимальна напруга стік-витік: 650 В
• Максимальний струм стоку: 20.8 А
• Потужність розсіювання: 190 Вт
• Опір у відкритому стані: 79 мОм
• Корпус: TO220-3, вставний монтаж
• Кількість у комплекті: 3 шт.

Максимально допустима напруга стік-витік становить 650 В. Максимальний струм стоку дорівнює 20.8 А, а опір у відкритому стані (Rds) — 79 мОм. Максимальна потужність розсіювання — 190 Вт. Напруга затвор-витік обмежена значенням 25 В.

Транзистор виконаний у корпусі TO220-3 з вставним типом монтажу. Канал транзистора — збагачений (wzbogacany), полярність — уніполярна. Версія пристрою позначена як ESD.

У комплекті поставки знаходиться 3 шт. транзисторів STP42N65M5 від виробника STMicroelectronics.