Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP100NF04 — це польовий транзистор з каналом типу N, що працює за технологією STripFET™ II. Модель має максимальну напругу стік-витік 40 В, струм стоку 120 А та потужність розсіювання 300 Вт. У комплекті поставляється 10 одиниць у корпусі TO220-3.

• Тип транзистора: N-MOSFET (польовий, канал N)
• Максимальна напруга стік-витік: 40 В
• Максимальний струм стоку: 120 А
• Потужність розсіювання: 300 Вт
• Опір у відкритому стані (Rds): 4.6 мОм
• Корпус: TO220-3, монтаж вставний
• Кількість у комплекті: 10 шт.

Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-витік 40 В та напругу затвор-витік 20 В. Максимально допустимий струм стоку становить 120 А, а потужність розсіювання — 300 Вт. Опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 4.6 мОм.

Компонент виготовлений у корпусі TO220-3 з вставним типом монтажу. Це польовий транзистор з каналом типу N (wzbogacany), що є уніполярним пристроєм. Технологія виробництва: STripFET™ II.