Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STFW3N170 — це польовий транзистор з збагаченим каналом, призначений для роботи з напругою до 1,7 кВ. Модель має максимальний струм стоку 2,6 А та потужність розсіювання 63 Вт у корпусі TO3PF.

• Тип транзистора: N-MOSFET, збагачений канал
• Максимальна напруга: 1,7 кВ
• Максимальний струм стоку: 2,6 А
• Потужність розсіювання: 63 Вт
• Корпус: TO3PF, вставний монтаж
• Опір у відкритому стані: 7000 мОм
• Кількість у комплекті: 5 шт.

Транзистор є польовим (MOSFET) з каналом типу N та збагаченим каналом (enhancement mode). Максимально допустима напруга стік-витік становить 1,7 кВ, що визначає клас високовольтних компонентів. Максимальний струм стоку дорівнює 2,6 А, а опір у відкритому стані (Rds) — 7000 мОм.

Компонент виготовлений у корпусі TO3PF. Потужність розсіювання — 63 Вт. Тип монтажу — вставний (through-hole). Загальний заряд затвора (gate charge) становить 44 нКл.

У наборі постачається 5 транзисторів STFW3N170.