Транзистор IGBT STGW30H60DFB від STMicroelectronics у корпусі TO247-3. Пристрій розрахований на максимальну напругу колектор-емітер 600 В та струм колектора 120 А. У комплекті постачається 10 одиниць.
- Тип транзистора: IGBT
- Максимальна напруга колектор-емітер: 600 В
- Максимальний струм колектора: 120 А
- Потужність розсіювання: 260 Вт
- Корпус: TO247-3
- Кількість у комплекті: 10 шт.
Електричні параметри
Максимально допустима напруга колектор-емітер становить 600 В, що визначає робочий діапазон пристрою. Максимально допустимий струм колектора дорівнює 120 А. Максимальна потужність розсіювання — 260 Вт. Заряд затвора зазначений як 149 нКл, а напруга затвор-емітер — ±20 В.
Конструкція та монтаж
Транзистор має вставний тип монтажу та виконаний у корпусі TO247-3. У конструкції передбачений інтегрований антипаралельний діод (integrated anti-parallel diode). Тип транзистора: IGBT.
Комплектація
У наборі міститься 10 транзисторів STGW30H60DFB.