Основні
| Максимальна потужність розсіювання | 342 Вт |
| Максимально допустимий прямий імпульсний струм | 180 А |
| Максимальна постійна зворотна напруга | 1200 В |
| Максимальна пряма напруга | 2 В |
| Максимальний зворотний струм | 35 мкА |
| Максимальний прямий струм | 40 А |
| Стан | Новий |
| Тип діода | Діод Шотткі |
Додаткові характеристики
| Тип монтажу | Вставний |
Користувальницькі характеристики
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 2 шт. |
| Корпус | TO247-2 |
| Виробник | BASiC SEMICONDUCTOR |
| Технологія | SiC |
Діод Шотткі BASiC SEMICONDUCTOR B2D40120H1 — напівпровідниковий компонент на основі карбіду кремнію (SiC) у корпусі TO247-2. Пристрій має максимальну постійну зворотну напругу 1200 В та максимальний прямий струм 40 А. У комплекті поставляється 2 штуки.
- Тип діода: Шотткі
- Технологія: SiC (карбід кремнію)
- Максимальна постійна зворотна напруга: 1200 В
- Максимальний прямий струм: 40 А
- Максимальна потужність розсіювання: 342 Вт
- Корпус: TO247-2, монтаж THT
- Кількість у комплекті: 2 шт.
Максимальна постійна зворотна напруга діода становить 1200 В. Максимальний прямий струм дорівнює 40 А, а максимальна пряма напруга — 2 В. Максимально допустимий прямий імпульсний струм досягає 180 А, а максимальний зворотний струм обмежений значенням 35 мкА.
Потужність та конструкціяМаксимальна потужність розсіювання компонента становить 342 Вт. Діод виготовлений за технологією SiC (карбід кремнію) і має структуру «одиночний діод». Монтаж виконується вивідним способом (THT) у корпусі TO247-2.
КомплектаціяУ наборі знаходиться 2 штуки діодів BASiC SEMICONDUCTOR B2D40120H1.
Діод Шотткі BASiC SEMICONDUCTOR B2D40120H1, SiC, 1200 В, 40 А, TO247-2 (2 шт.)
- Як післяплата, тільки без переплат
- Повернем гроші, якщо щось піде не так
- Bigl гарантує безпеку