Основні
| Виробник | STMicroelectronics |
| Максимальна потужність розсіювання | 190 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 800 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 6.60 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 650 mOm |
Додаткові характеристики
| Стан | Новий |
Основні
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
Користувальницькі характеристики
| Версія | ESD |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 5 шт. |
| Корпус | TO247 |
| Технологія | SuperMesh™ |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW12NK80Z — це польовий транзистор з каналом збагачення, розрахований на напругу стік-витік до 800 В та струм стоку 6,6 А. Прилад виконаний у корпусі TO247 з технологією SuperMesh™ та має максимальну потужність розсіювання 190 Вт.
- Тип транзистора: польовий N-MOSFET
- Максимальна напруга стік-витік: 800 В
- Максимальний струм стоку: 6,6 А
- Потужність розсіювання: 190 Вт
- Корпус: TO247, монтаж вставний
- Опір у відкритому стані: 650 мОм
- Кількість у наборі: 5 шт.
Транзистор працює з максимально допустимою напругою стік-витік 800 В та напругою затвор-витік 30 В. Максимальний струм стоку становить 6,6 А, а опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 650 мОм. Максимальна потужність розсіювання приладу — 190 Вт.
Конструкція та монтажКомпонент виготовлений у корпусі TO247 з вставним типом монтажу. Транзистор є однополярним (unipolarny) з каналом збагачення (wzbogacany). Використовується технологія SuperMesh™.
Версія та технологія SuperMesh™ (бажано)У комплекті поставляється 5 транзисторів. Версія компонента позначена як ESD.
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW12NK80Z, 800 В, 6,6 А, TO247 (набір 5 шт.)
- Як післяплата, тільки без переплат
- Повернем гроші, якщо щось піде не так
- Bigl гарантує безпеку