Транзистор IGBT виробництва STMicroelectronics, модель STGWT40HP65FB. Транзистор у корпусі TO3P з максимальною напругою колектор-емітер 650 В. У комплекті поставляється 10 одиниць.
- Тип транзистора: IGBT (польовий)
- Максимальна напруга колектор-емітер: 650 В
- Максимальна потужність розсіювання: 283 Вт
- Корпус: TO3P, вставний монтаж
- Інтегрований антипаралельний діод
- Кількість у комплекті: 10 шт.
Електричні параметри
Максимальна напруга колектор-емітер становить 650 В, що визначає робочий діапазон пристрою. Максимально допустимий струм колектора зазначений у назві як 40 А, проте у технічних характеристиках вказано значення 160 А. Максимальна потужність розсіювання дорівнює 283 Вт. Напруга між затвором та емітером обмежена величиною ±30 В.
Конструкція та монтаж
Транзистор виготовлений у корпусі TO3P з вставним типом монтажу. Пристрій є польовим транзистором (IGBT) з інтегрованим антипаралельним діодом. Заряд затвора становить 0,21 мкКл.
Комплектація
У наборі міститься 10 транзисторів STGWT40HP65FB.