Діод Шотткі BASiC SEMICONDUCTOR B2D20065TF — напівпровідниковий компонент на основі карбіду кремнію (SiC) у корпусі TO3PF. Пристрій має максимальну постійну зворотну напругу 650 В та максимальний прямий струм 20 А.

• Тип діода: Шотткі
• Технологія: SiC
• Максимальна постійна зворотна напруга: 650 В
• Максимальний прямий струм: 20 А
• Максимальна пряма напруга: 1,62 В
• Максимальна потужність розсіювання: 33 Вт
• Корпус: TO3PF
• Кількість у комплекті: 10 шт.

Діод розрахований на роботу з постійною зворотною напругою до 650 В. Максимальний прямий струм становить 20 А, а максимальна пряма напруга — 1,62 В. Максимальний зворотний струм дорівнює 20 мкА.

Максимально допустимий прямий імпульсний струм досягає 70 А. Максимальна потужність розсіювання компонента становить 33 Вт.

Компонент виготовлений за технологією SiC. Напівпровідник має структуру «подвійна, спільна катод».

У комплекті поставляється 10 діодів.