Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STL8DN6LF6AG — це польовий транзистор з каналом збагачення. Модель має максимальну напругу стік-витік 60 В та струм стоку 32 А.

• Тип транзистора: N-MOSFET (польовий, канал збагачення)
• Максимальна напруга стік-витік: 60 В
• Максимальний струм стоку: 32 А
• Опір у відкритому стані (Rds): 27 мОм
• Потужність розсіювання: 55 Вт
• Корпус: PowerFLAT 5x6 (поверхневий монтаж)
• Кількість у комплекті: 20 шт.

Транзистор працює з максимально допустимою напругою стік-витік 60 В та напругою затвор-витік 20 В. Максимальний постійний струм стоку становить 32 А, а імпульсний струм може досягати 128 А. Опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 27 мОм.

Максимальна потужність розсіювання транзистора становить 55 Вт. Прилад виконаний у корпусі PowerFLAT 5x6. Монтаж: поверхневий (SMD).

У наборі постачається 20 транзисторів. Застосування: автомобільна промисловість. Імпульсний струм стоку (Idm) становить 128 А. Заряд затвора дорівнює 27 нКл.