•
•
•
•
•
•
Транзистор IGBT STMicroelectronics STGWA75M65DF2, 650 В, 225 А, TO247-3 (5 шт.)
Характеристики та опис
Основні
| Виробник | STMicroelectronics |
| Максимальна потужність розсіювання | 468 Вт |
| Максимально допустима напруга колектор-емітер | 650 В |
| Максимально допустимий струм колектора | 225 А |
Додаткові характеристики
| Стан | Новий |
Основні
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
Користувальницькі характеристики
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 5 шт. |
| Корпус | TO247-3 |
Тип транзистора: IGBT Комплект складається з 5 одиниць. Максимальна напруга колектор-емітер становить 650 В, а максимальний струм колектора — 225 А.
- Тип транзистора: IGBT
- Максимальна напруга колектор-емітер: 650 В
- Максимальний струм колектора: 225 А
- Максимальна потужність розсіювання: 468 Вт
- Корпус: TO247-3
- Кількість у комплекті: 5 шт.
Пристрій має максимальну напругу колектор-емітер 650 В та максимальний струм колектора 225 А. Максимальна потужність розсіювання дорівнює 468 Вт. Заряд затвора становить 225 нКл, а допустима напруга затвор-емітер — ±20 В.
Конструкція та монтажТранзистор виготовлений у корпусі TO247-3 з вставним типом монтажу. Вбудований антипаралельний діод є частиною конструкції напівпровідникового елемента.
КомплектаціяУ комплекті поставки 5 шт.
Транзистор IGBT STMicroelectronics STGWA75M65DF2, 650 В, 225 А, TO247-3 (5 шт.)
В наявності
3 420 ₴
Способи оплати
Безпечна оплата
- Як післяплата, тільки без переплат
- Повернем гроші, якщо щось піде не так
- Bigl гарантує безпеку
Нова Пошта, Самовивіз
Способи доставки
Нова Пошта — від 70 грн
Самовивіз
Умови повернення
Повернення товару впродовж 14 днів Інші товари продавця
Дивіться також
Новинки в категорії транзистори
Чат