IGBT-транзистор STMicroelectronics STGP30M65DF2 у корпусі TO220AB. Комплект складається з 10 одиниць.
- Напруга колектор-емітер: 650 В
- Постійний струм колектора: 30 А
- Імпульсний струм: до 120 А
- Розсіювана потужність: 258 Вт
- Корпус: TO220AB, монтаж THT
- Інтегрований антипаралельний діод
- Комплект: 10 шт.
Висока напруга та струм
Транзистор працює з напругою колектор-емітер до 650 В та постійним струмом колектора 30 А.
Імпульсна потужність
Прилад витримує імпульсний струм колектора до 120 А. Максимальна розсіювана потужність становить 258 Вт.
Вбудований діод та монтаж
Компонент має інтегрований антипаралельний діод. Монтаж виконується методом THT у корпусі TO220AB.
Керування та заряд
Напруга керування затвором становить ±20 В, а заряд затвора — 80 нКл.
Комплектація
У набір входить 10 транзисторів STGP30M65DF2.