Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD10NM60N — польовий транзистор з каналом збагачення (unipolarny) у корпусі DPAK. Максимальна напруга стік-витік — 600 В, максимальний струм стоку — 5 А.

• Тип транзистора: Польовий (N-MOSFET)
• Максимальна напруга стік-витік: 600 В
• Максимальний струм стоку: 5 А
• Потужність розсіювання: 70 Вт
• Корпус: DPAK (поверхневий монтаж)
• Опір у відкритому стані: 550 мОм

Максимально допустима напруга стік-витік становить 600 В. Максимальний струм стоку — 5 А, а потужність розсіювання — 70 Вт. Опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 550 мОм.

Транзистор виконаний у поверхневому монтажі у корпусі DPAK. Тип монтажу: поверхневий. Корпус: DPAK.

У комплекті 20 шт. Канал транзистора — збагачений (wzbogacany), полярність — уніполярна (unipolarny).