Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD25NF10T4 — це польовий транзистор з каналом збагачення у корпусі DPAK. Прилад розрахований на максимальну напругу стік-витік 100 В та струм стоку 21 А.

• Тип транзистора: польовий (N-MOSFET)
• Максимальна напруга стік-витік: 100 В
• Максимальний струм стоку: 21 А
• Потужність розсіювання: 100 Вт
• Опір у відкритому стані: 38 мОм
• Корпус: DPAK, монтаж поверхневий
• Кількість у комплекті: 20 шт.

Транзистор має максимальну потужність розсіювання 100 Вт. Максимально допустима напруга затвор-витік становить 20 В, а опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 38 мОм.

Використовується поверхневий тип монтажу. Корпус: DPAK. Технологія SuperMesh™ та версія ESD вказані у специфікації виробника.

Транзистор має канал збагачення та є уніполярним приладом. У наборі поставляється 20 шт. транзисторів.