Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP33N65M2 — це уніполярний польовий транзистор з каналом, що збагачується. Модель має напругу стік-витік 650 В та струм стіка 24 А. Комплект складається з 10 одиниць у корпусі TO220-3.

• Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачений
• Максимальна напруга стік-витік: 650 В
• Струм стіка: 24 А, імпульсний струм: 96 А
• Розсіювана потужність: 190 Вт
• Корпус: TO220-3, монтаж: THT
• Комплектація: набір із 10 транзисторів

Транзистор STP33N65M2 має максимальну напругу стік-витік 650 В та напругу затвор-витік ±25 В. Номінальний струм стіка становить 24 А, а імпульсний струм — 96 А. Опір у стані провідності дорівнює 0,14 Ом, а заряд затвора — 41,5 нКл.

Максимальна розсіювана потужність транзистора становить 190 Вт. Корпус TO220-3 призначений для монтажу на поверхні друкованої плати методом виводів (THT). Такий тип корпусу та монтажу є стандартним для компонентів із зазначеними параметрами потужності.

Упаковка містить 10 транзисторів STP33N65M2. Символ виробника: STP33N65M2. Виробник компонента — STMicroelectronics.