Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP7N60M2 — це польовий транзистор з ізольованим затвором у корпусі TO220-3. Прилад має максимальну напругу стік-витік 650 В та постійний струм стоку 5 А. У комплекті поставляється 20 одиниць.

• Тип транзистора: N-MOSFET (польовий)
• Максимальна напруга стік-витік: 650 В
• Максимальний струм стоку: 5 А (імпульсний 20 А)
• Потужність розсіювання: 60 Вт
• Корпус: TO220-3, вставний монтаж
• Опір у відкритому стані: 950 мОм
• Кількість у комплекті: 20 шт.

Транзистор працює з максимально допустимою напругою стік-витік 650 В та напругою затвор-витік 25 В. Максимально допустимий постійний струм стоку становить 5 А, а імпульсний струм може досягати 20 А. Опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 950 мОм, що визначає теплові втрати при провідності.

Максимальна потужність розсіювання транзистора становить 60 Вт. Прилад виконаний у корпусі TO220-3 з вставним типом монтажу. Заряд затвора (Qg) дорівнює 8,8 нКл, що впливає на швидкість перемикання.

У наборі міститься 20 транзисторів STP7N60M2.