Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF10NM60N — це уніполярний компонент із напругою дрена-джерела 600 В та струмом дрена 10 А. Силовий N-MOSFET транзистор. Тип каналу — збагачуваний, полярність — уніполярна.
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, збагачуваний канал
- Напруга дрена-джерела: 600 В
- Струм дрена: 10 А (імпульсний: 32 А)
- Потужність розсіювання: 25 Вт
- Корпус: TO220FP, монтаж THT
- Набір: 10 транзисторів
Електричні параметри
Транзистор витримує напругу дрена-джерела до 600 В. Номінальний струм дрена становить 10 А, а імпульсний струм (Idm) досягає 32 А.
Корпус та монтаж
Потужність розсіювання становить 25 Вт. Корпус TO220FP, монтаж вставной (THT).
Комплектація та заряд затвора
Товар поставляється набором із 10 штук. Заряд затвора (Qg) становить 19 нКл.