Набір із 20 транзисторів N-MOSFET STMicroelectronics STP5NK60Z. Компоненти мають напругу 600 В та виготовлені за технологією SuperMesh™.
- Напруга дрена-джерела 600 В
- Струм дрена 3,16 А та імпульсний струм 20 А
- Технологія SuperMesh™
- Корпус TO220-3 з монтажем THT
- Розсіювана потужність 90 Вт
- Набір із 20 транзисторів
Висока напруга та струм
Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела 600 В. Номінальний струм дрена становить 3,16 А, а імпульсний струм досягає 20 А, забезпечуючи запас міцності при пікових навантаженнях.
Технологія SuperMesh™
Використання технології SuperMesh™ забезпечує опір у відкритому стані 1,6 Ом.
Зручний монтаж та корпус
Компоненти виконані в корпусі TO220-3 з монтажем THT. Максимальна розсіювана потужність становить 90 Вт.
Комплектність для серійного виробництва
Упаковка містить 20 транзисторів.