Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD13N60M2 — це уніполярний напівпровідниковий прилад у корпусі DPAK. Модель характеризується робочою напругою 600 В та струмом стоку 7 А.

• Напруга стік-витік 600 В
• Струм стоку 7 А та потужність розсіювання 110 Вт
• Опір у стані провідності 0,38 Ом
• Корпус DPAK (SMD) для поверхневого монтажу
• Технологія SuperMesh™
• Захист від електростатичного розряду (ESD)
• Набір із 20 транзисторів у комплекті

Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-витік 600 В. Максимальний постійний струм стоку становить 7 А. Потужність розсіювання 110 Вт.

Прилад виготовлений за технологією SuperMesh™. Опір у стані провідності (Rds(on)) дорівнює 0,38 Ом. Максимальна напруга затвор-витік обмежена ±25 В.

Корпус DPAK є поверхневим (SMD). Транзистор має вбудований захист від електростатичного розряду (ESD).

Товар поставляється набором із 20 транзисторів.