Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD60NF55LT4 — це польовий транзистор з індукованим каналом у корпусі DPAK. Пристрій розрахований на максимальну напругу стік-витік 55 В та струм стоку 42 А.

• Тип транзистора: польовий N-MOSFET з індукованим каналом
• Максимальна напруга стік-витік: 55 В
• Максимальний струм стоку: 42 А
• Потужність розсіювання: 110 Вт
• Опір у відкритому стані (Rds): 17 мОм
• Корпус: DPAK, тип монтажу: поверхневий
• Кількість у комплекті: 20 шт.

Транзистор має максимальну напругу стік-витік 55 В та максимально допустимий струм стоку 42 А. Максимальна потужність розсіювання становить 110 Вт. Опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 17 мОм. Максимально допустима напруга затвор-витік обмежена значенням 15 В.

Компонент виготовлений у поверхневому корпусі DPAK. Використовується технологія SuperMesh™. Транзистор є однополярним (unipolarny) з індукованим каналом (wzbogacany). Версія: ESD.

У наборі постачається 20 шт. транзисторів.