Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP14NK60ZFP — це уніполярний напівпровідниковий прилад з підвищеним каналом. Модель виконана в корпусі TO220FP та реалізується комплектом із 10 штук.
- Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний, з підвищеним каналом
- Максимальна напруга дрена-джерела: 600 В
- Струм дрена: 8,5 А
- Потужність розсіювання: 40 Вт
- Корпус: TO220FP, монтаж THT
- Технологія: SuperMesh™, версія ESD
- Кількість у комплекті: 10 шт.
Електричні параметри
Транзистор має напругу дрена-джерела 600 В та максимальний струм дрена 8,5 А. Напруга затвор-джерело становить ±30 В.
Потужність та опір
Потужність розсіювання становить 40 Вт, а опір у стані провідності — 0,5 Ом.
Технологія та монтаж
Компонент виготовлений за технологією SuperMesh™ та має версію ESD. Монтаж виконується методом THT (скрізний монтаж).
Комплектація та ідентифікація
У пакуванні міститься 10 транзисторів STP14NK60ZFP. Символ виробника: STP14NK60ZFP.