Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP10N95K5 — це польовий транзистор з каналом типу n та технологією SuperMESH5™. Прилад має максимальну напругу стік-витік 950 В, струм стоку 5 А та потужність розсіювання 130 Вт. У комплекті поставляється 10 штук у корпусі TO220-3.
- Тип транзистора: N-MOSFET (польовий)
- Максимальна напруга стік-витік: 950 В
- Максимальний струм стоку: 5 А
- Потужність розсіювання: 130 Вт
- Опір у відкритому стані: 800 мОм
- Корпус: TO220-3, вставний монтаж
- Технологія: SuperMESH5™
- Кількість у наборі: 10 шт.
Електричні параметри та технологія
Транзистор працює з максимально допустимою напругою стік-витік 950 В та напругою затвор-витік 30 В. Максимально допустимий струм стоку становить 5 А, а опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 800 мОм. Максимальна потужність розсіювання приладу — 130 Вт. Прилад виготовлений за технологією SuperMESH5™.
Конструкція та монтаж
Компонент виконаний у корпусі TO220-3 з вставним типом монтажу. Транзистор є польовим, з каналом типу n (wzbogacany) та уніполярною поляризацією.
Комплектація та версія
У наборі міститься 10 транзисторів STP10N95K5. Кількість у комплекті зазначена як 10 шт. Компонент має версію ESD.