Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF6N60M2 — це уніполярний напівпровідниковий прилад із каналом збагачення, Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF6N60M2 — це уніполярний напівпровідниковий прилад із каналом збагачення. Комплект із 20 одиниць у корпусі TO220FP.

• Набір із 20 транзисторів N-MOSFET
• Максимальна напруга дрена-джерела 600 В
• Струм дрена 2,9 А та потужність 20 Вт
• Опір у провідному стані 1,2 Ом
• Корпус TO220FP для вивідного монтажу (THT)
• Технологія MDmesh™ II Plus та версія ESD

Транзистор працює з напругою дрена-джерела до 600 В. Максимальний струм дрена становить 2,9 А, а потужність розсіювання — 20 Вт. Параметри відповідають навантаженням у відповідних ланцюгах.

Використання технології MDmesh™ II Plus забезпечує низький опір у провідному стані — всього 1,2 Ом. Опір у провідному стані 1,2 Ом. Версія ESD.

Компонент виконаний у корпусі TO220FP для вивідного монтажу (THT). Монтаж: THT (вивідний). Кількість у комплекті: 20 шт.