Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP55NF06FP — це польовий транзистор з каналом збагачення, виконаний у корпусі TO220FP. Пристрій має максимальну напругу стік-витік 60 В, струм стоку 35 А та потужність розсіювання 30 Вт. У комплекті поставляється 20 одиниць.

• Тип транзистора: N-MOSFET (польовий, збагачений канал)
• Максимальна напруга стік-витік: 60 В
• Максимальний струм стоку: 35 А
• Потужність розсіювання: 30 Вт
• Опір у відкритому стані (Rds): 18 мОм
• Корпус: TO220FP, монтаж вставний
• Кількість у комплекті: 20 шт.

Транзистор працює з максимально допустимою напругою стік-витік 60 В та напругою затвор-витік 20 В. Максимальний постійний струм стоку становить 35 А. Опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 18 мОм.

Компонент виготовлений за технологією STripFET™ II та має версію ESD. Корпус TO220FP. Тип монтажу — вставний.

У наборі міститься 20 транзисторів STP55NF06FP.