Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STU2NK100Z — це польовий транзистор з вбудованим каналом, розрахований на напругу стік-витік до 1000 В та струм стоку 1,16 А. Пристрій виконаний у корпусі IPAK із технологією SuperMesh™ та захистом ESD, призначений для монтажу у вставному виконанні.

• Напруга стік-витік: 1000 В
• Струм стоку: 1,16 А
• Потужність розсіювання: 70 Вт
• Корпус: IPAK, вставний монтаж
• Опір у відкритому стані: 8500 мОм
• Комплект: 20 шт.

Максимально допустима напруга стік-витік становить 1000 В, що визначає робочий діапазон пристрою. Максимально допустимий струм стоку дорівнює 1,16 А, а напруга затвор-витік обмежена 30 В. Опір у відкритому стані (Rds) зафіксований на рівні 8500 мОм, що впливає на теплові втрати при роботі.

Максимальна потужність розсіювання транзистора становить 70 Вт. Корпус IPAK забезпечує вставний тип монтажу. Транзистор є уніполярним із вбудованим каналом (wzbogacany), що відповідає класичній схемі N-MOSFET.

У комплекті постачається 20 шт. транзисторів STU2NK100Z. Версія пристрою має маркування ESD, що вказує на наявність вбудованого захисту від електростатичного розряду. Транзистор виготовлений за технологією SuperMesh™, що визначає його конструктивні особливості. Пристрій є уніполярним із вбудованим каналом (wzbogacany), що відповідає класичній схемі N-MOSFET.