Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD45N10F7 — це уніполярний компонент із технологією STripFET™ F7.## Комплектація
- Струм стоку 32 А (постійний) та 180 А (імпульсний)
- Напруга стік-витік 100 В
- Опір у відкритому стані 18 мОм
- Розсіювана потужність 60 Вт
- Корпус DPAK для SMD-монтажу
- Технологія STripFET™ F7
- Комплект: 20 шт.
Опір у відкритому стані
Опір у відкритому стані становить 18 мОм. Цей параметр визначає втрати енергії при проходженні струму через транзистор.
Струм та потужність
Постійний струм стоку становить 32 А, а імпульсний струм — 180 А. Максимальна розсіювана потужність дорівнює 60 Вт.
Електричні параметри
Максимальна напруга стік-витік дорівнює 100 В, а напруга затвор-витік — ±20 В. Канал типу «збагачений» (enhancement mode) забезпечує передбачуване відкривання транзистора при подачі керуючого сигналу.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у корпусі DPAK. Монтаж здійснюється за технологією SMD (поверхневий монтаж).