Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF33N60M2 — це польовий транзистор з каналом, що збагачується, призначений для роботи під напругою до 600 В. Модель виконана у корпусі TO220FP із вставним типом монтажу та реалізує технологію MDmesh™.

• N-MOSFET (польовий, канал, що збагачується)
• Максимальна напруга стік-витік: 600 В
• Максимальний струм стоку: 26 А
• Опір у відкритому стані (Rds): 108 мОм
• Корпус: TO220FP, вставний монтаж
• Кількість у комплекті: 10 шт.

Транзистор має максимальну напругу стік-витік 600 В та максимальний струм стоку 26 А. Опір у відкритому стані (Rds) становить 108 мОм. Максимальна потужність розсіювання дорівнює 35 Вт.

Компонент виготовлений у корпусі TO220FP. Тип монтажу — вставний (THT). Використовується технологія MDmesh™.

У наборі поставляється 10 шт. транзисторів STF33N60M2. Полярність транзистора — уніполярна. Канал транзистора — збагачуваний. Заряд затвора становить 45,5 нКл.