Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP22NM60N — це польовий транзистор із каналом збагачення, виконаний у корпусі TO220-3. Модель належить до технології MDmesh™ II та призначена для роботи з напругою до 600 В і струмом стоку до 16 А.

• Тип транзистора: N-MOSFET (польовий)
• Максимальна напруга стік-витік: 600 В
• Максимальний струм стоку: 16 А
• Опір у відкритому стані (Rds): 220 мОм
• Корпус: TO220-3, монтаж вставний
• Кількість у наборі: 10 шт.

Максимально допустима напруга стік-витік (Vds) становить 600 В, що визначає верхню межу робочої напруги. Максимальний постійний струм стоку (Id) дорівнює 16 А, а імпульсний струм (Idm) може досягати 64 А. Напруга затвор-витік (Vgs) обмежена значенням 30 В. Опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 220 мОм, що впливає на теплові втрати при проходженні струму.

Транзистор виготовлений за технологією MDmesh™ II. Корпус TO220-3 передбачає вставний тип монтажу (THT). Максимальна потужність розсіювання становить 125 Вт.

Тип каналу транзистора — збагачуваний (wzbogacany), а полярність — уніполярна. Заряд затвора становить 44 нКл. У комплекті поставляється 10 транзисторів.