Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STI18N65M2 — це польовий транзистор з каналом типу «збагачуваний» у корпусі I2PAK.
- Тип транзистора: N-MOSFET, польовий
- Максимальна напруга стік-витік: 650 В
- Максимальний струм стоку: 12 А
- Потужність розсіювання: 110 Вт
- Корпус: I2PAK
- Кількість у комплекті: 20 шт.
Електричні параметри
Максимальна напруга стік-витік становить 650 В. Максимально допустимий струм стоку дорівнює 12 А, а струм у імпульсному режимі може досягати 48 А. Опір у відкритому стані (Rds) — 330 мОм. Максимальна потужність розсіювання — 110 Вт.
Конструкція та монтаж
Транзистор має корпус I2PAK. Тип монтажу — вставний. Напруга затвор-витік обмежена значенням 25 В. Заряд затвора становить 20 нКл.