Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF24NM60N — це напівпровідниковий прилад з технологією MDmesh™ II. Комплект із 10 штук.
- Тип: N-MOSFET з каналом, що збагачується
- Максимальна напруга дрена-джерела: 600 В
- Максимальний струм дрена: 11 А
- Потужність розсіювання: 30 Вт
- Корпус: TO220FP, монтаж THT
- Комплектація: 10 транзисторів
Висока напруга та струм
Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела 600 В та максимальний струм дрена 11 А. Ці параметри визначають область застосування компонента.
Ефективне розсіювання тепла
Потужність розсіювання становить 30 Вт, що вимагає належного теплового режиму. Корпус TO220FP з монтажем THT (через отвори).
Технологія MDmesh™ II
Використання технології MDmesh™ II від STMicroelectronics.