Основні
| Виробник | STMicroelectronics |
| Максимальна потужність розсіювання | 25 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 25 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 600 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 6.93 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 360 mOm |
Додаткові характеристики
| Стан | Новий |
Основні
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
Користувальницькі характеристики
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO220FP |
| Технологія | MDmesh™ II |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF13NM60N — це польовий транзистор з каналом збагачення, виготовлений за технологією MDmesh™ II. Пристрій розрахований на максимальну напругу стік-витік 600 В та струм стоку 6,93 А при потужності розсіювання 25 Вт.
- Тип транзистора: N-MOSFET, польовий, канал збагачення
- Максимальна напруга стік-витік: 600 В
- Максимальний струм стоку: 6,93 А
- Потужність розсіювання: 25 Вт
- Опір у відкритому стані (Rds): 360 мОм
- Корпус: TO220FP, вставний монтаж
- Технологія: MDmesh™ II
- Кількість у комплекті: 10 шт.
Транзистор має максимальну напругу стік-витік 600 В та максимально допустимий струм стоку 6,93 А. Максимальна потужність розсіювання становить 25 Вт, а опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 360 мОм. Максимально допустима напруга затвор-витік обмежена значенням 25 В.
Конструкція та монтажКомпонент виконаний у корпусі TO220FP з вставним типом монтажу. Це однополярний транзистор з каналом збагачення, що відповідає специфікації N-MOSFET. Технологія виробництва MDmesh™ II визначає конструктивні особливості структури приладу.
Комплектація та ідентифікаціяУ наборі постачається 10 транзисторів STF13NM60N.
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF13NM60N, 600 В, 6,93 А, 25 Вт (набір 10 шт.)
- Як післяплата, тільки без переплат
- Повернем гроші, якщо щось піде не так
- Bigl гарантує безпеку