•
•
•
•
•
•
Транзистор DACO Semiconductor DACMI80N1200, SiC MOSFET, 1200 В, 50 А (SOT227B)
Характеристики та опис
Основні
| Максимальна потужність розсіювання | 460 Вт |
Додаткові характеристики
| Максимальна робоча температура | 150 град. |
Основні
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 50 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 34 mOm |
Додаткові характеристики
| Стан | Новий |
Користувальницькі характеристики
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Корпус | SOT227B |
| Виробник | DACO Semiconductor |
| Робоча температура | -55–150 °C |
| Технологія | SiC |
Транзистор DACO Semiconductor DACMI80N1200 — це модуль на основі карбід-кремнієвої (SiC) технології в корпусі SOT227B. Пристрій має максимальну робочу напругу 1200 В та струм стоку 50 А.
- Струм стоку: 50 А
- Напруга затвор-витік: 20 В
- Опір у відкритому стані: 34 мОм
- Потужність розсіювання: 460 Вт
- Технологія: SiC
- Корпус: SOT227B
Модуль працює з максимальною напругою затвор-витік 20 В та витримує струм стоку до 50 А. Опір у відкритому стані (Rds) становить 34 мОм. Максимальна потужність розсіювання дорівнює 460 Вт.
Конструкція та монтажКомпонент виготовлений за технологією SiC і має структуру «одиночний транзистор» (pojedynczy tranzystor). Корпус SOT227B передбачає прикручуваний монтаж як для електричного, так і для механічного кріплення. Діапазон робочих температур становить від -55 до 150 °C.
Транзистор DACO Semiconductor DACMI80N1200, SiC MOSFET, 1200 В, 50 А (SOT227B)
В наявності
5 350 ₴
Способи оплати
Безпечна оплата
- Як післяплата, тільки без переплат
- Повернем гроші, якщо щось піде не так
- Bigl гарантує безпеку
Нова Пошта, Самовивіз
Способи доставки
Нова Пошта — від 70 грн
Самовивіз
Умови повернення
Повернення товару впродовж 14 днів Інші товари продавця
Дивіться також
Новинки в категорії транзистори
Чат