•
•
•
•
•
•
Транзистор DACO Semiconductor DACMI160N1200, SiC, 1200 В, 110 А
Характеристики та опис
Основні
| Максимальна потужність розсіювання | 580 Вт |
Додаткові характеристики
| Максимальна робоча температура | 150 град. |
Основні
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 110 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 20 mOm |
Додаткові характеристики
| Стан | Новий |
Користувальницькі характеристики
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Корпус | SOT227B |
| Виробник | DACO Semiconductor |
| Робоча температура | -55–150 °C |
| Технологія | SiC |
Одиночний модуль транзистора DACO Semiconductor DACMI160N1200 на основі технології SiC. Характеризується максимально допустимою напругою 1200 В та максимальним струмом стоку 110 А у корпусі SOT227B.
- Струм стоку: 110 А
- Напруга затвор-витік: 20 В
- Потужність розсіювання: 580 Вт
- Опір у відкритому стані: 20 мОм
- Корпус: SOT227B
- Технологія: SiC
Модуль має максимальну напругу затвор-витік 20 В та опір у відкритому стані 20 мОм. Максимальна потужність розсіювання становить 580 Вт.
Конструкція та монтажТранзистор виконаний у корпусі SOT227B з прикручуваним типом монтажу як для механічного, так і для електричного кріплення. Структура напівпровідника — одиночний транзистор з уніполярною поляризацією.
Теплові характеристикиДіапазон робочих температур становить від -55 до 150 °C. Максимальна робоча температура становить 150 °C.
Транзистор DACO Semiconductor DACMI160N1200, SiC, 1200 В, 110 А
В наявності
6 980 ₴
Способи оплати
Безпечна оплата
- Як післяплата, тільки без переплат
- Повернем гроші, якщо щось піде не так
- Bigl гарантує безпеку
Нова Пошта, Самовивіз
Способи доставки
Нова Пошта — від 70 грн
Самовивіз
Умови повернення
Повернення товару впродовж 14 днів Інші товари продавця
Дивіться також
Новинки в категорії транзистори
Чат