•
•
•
•
•
•
Транзистор DACO Semiconductor DACMI200N1200, SiC, 125 А, 1,2 кВ
Характеристики та опис
Основні
| Максимальна потужність розсіювання | 980 Вт |
Додаткові характеристики
| Максимальна робоча температура | 150 град. |
Основні
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 125 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 15 mOm |
Додаткові характеристики
| Стан | Новий |
Користувальницькі характеристики
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Корпус | SOT227B |
| Виробник | DACO Semiconductor |
| Робоча температура | -55–150 °C |
| Технологія | SiC |
Одинарний силовий транзистор DACO Semiconductor DACMI200N1200 у корпусі SOT227B. Пристрій виготовлений за технологією SiC та має максимальний струм стоку 125 А при напрузі 1,2 кВ.
- Струм стоку: 125 А
- Напруга: 1,2 кВ
- Технологія: SiC
- Корпус: SOT227B
- Опір Rds: 15 мОм
- Потужність: 980 Вт
Максимально допустимий струм стоку становить 125 А, а напруга затвор-витік обмежена 20 В. Опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 15 мОм. Максимальна потужність розсіювання — 980 Вт.
Конструкція та монтажТранзистор виконаний як одиночний транзистор у корпусі SOT227B. Механічний та електричний монтаж — прикручуваний. Діапазон робочих температур становить від -55 до 150 °C.
Транзистор DACO Semiconductor DACMI200N1200, SiC, 125 А, 1,2 кВ
В наявності
14 420 ₴
Способи оплати
Безпечна оплата
- Як післяплата, тільки без переплат
- Повернем гроші, якщо щось піде не так
- Bigl гарантує безпеку
Нова Пошта, Самовивіз
Способи доставки
Нова Пошта — від 70 грн
Самовивіз
Умови повернення
Повернення товару впродовж 14 днів Інші товари продавця
Дивіться також
Новинки в категорії транзистори
Чат