Основні
| Виробник | STMicroelectronics |
| Максимальна потужність розсіювання | 460 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 600 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 37.80 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 55 mOm |
Додаткові характеристики
| Стан | Новий |
Основні
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
Користувальницькі характеристики
| Версія | ESD |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 2 шт. |
| Корпус | MAX247 |
| Технологія | MDmesh™ |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STY60NM60 — це польовий транзистор з каналом збагачення, розрахований на напругу стік-витік до 600 В та струм стоку 37,8 А. Прилад виготовлений за технологією MDmesh™ у корпусі MAX247 та має захист від електростатичного розряду (ESD).
- Тип транзистора: N-MOSFET (польовий)
- Максимальна напруга стік-витік: 600 В
- Максимальний струм стоку: 37,8 А
- Потужність розсіювання: 460 Вт
- Опір у відкритому стані: 55 мОм
- Корпус: MAX247, монтаж вставний
- Захист ESD, технологія MDmesh™
- Кількість у комплекті: 2 шт.
Максимальна напруга стік-витік становить 600 В. Струм стоку дорівнює 37,8 А, а максимальний імпульсний струм — 60 А. Максимальна потужність розсіювання — 460 Вт. Опір у відкритому стані (Rds) — 55 мОм.
Конструкція та монтажТранзистор виконаний у корпусі MAX247 з вставним типом монтажу. Версія ESD вказує на наявність вбудованого захисту від електростатичного розряду. Технологія виготовлення: MDmesh™.
КомплектаціяУ комплекті поставки знаходиться 2 шт. транзисторів. Символ виробника STY60NM60 відповідає моделі з каналом збагачення та уніполярною поляризацією.
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STY60NM60, 600 В, 37,8 А, MAX247 (2 шт.)
- Як післяплата, тільки без переплат
- Повернем гроші, якщо щось піде не так
- Bigl гарантує безпеку