Транзистор IGBT STMicroelectronics STGWA25M120DF3 — напівпровідниковий прилад у корпусі TO247-3. Комплект складається з 5 одиниць.
- Тип транзистора: IGBT
- Максимальна напруга: 1200 В
- Максимальний струм: 100 А
- Потужність розсіювання: 375 Вт
- Корпус: TO247-3
- Тип монтажу: вставний
- Кількість у комплекті: 5 шт.
Електричні параметри
Максимальна напруга колектор-емітер становить 1200 В, а максимально допустимий струм колектора — 100 А. Максимальна потужність розсіювання дорівнює 375 Вт. Заряд затвора — 85 нКл, напруга затвор-емітер — ±30 В.
Конструкція та монтаж
Прилад має вставний тип монтажу (THT). Інтегрований антипаралельний діод (integrated anti-parallel diode) вбудований у структуру транзистора.