Транзистор IGBT STMicroelectronics STGW40H65DFB — біполярний транзистор з ізольованим затвором у корпусі TO247-3, тип монтажу — вставний. Основні параметри з найменування TME: 650 В, 40 А, 283 Вт. У наборі 10 шт.

• Параметри з найменування TME: 650 В, 40 А, 283 Вт
• Максимально допустима напруга колектор-емітер: 650 В
• Напруга затвор-емітер: ±30 В
• Заряд затвора: 0,21 мкКл
• Корпус: TO247-3
• Кількість у наборі: 10 шт.

Максимально допустима напруга колектор-емітер — 650 В. Максимальна потужність розсіювання — 283 Вт. Напруга затвор-емітер — ±30 В. Заряд затвора — 0,21 мкКл. Транзистор має вбудований антипаралельний діод.