Транзистор IGBT STMicroelectronics STGF3NC120HD — біполярний транзистор з ізольованим затвором у корпусі TO220FP, тип монтажу — вставний. Основні параметри з найменування TME: 1,2 кВ, 3 А, 25 Вт. У наборі 10 шт.
- Параметри з найменування TME: 1,2 кВ, 3 А, 25 Вт
- Максимальна потужність розсіювання: 25 Вт
- Напруга затвор-емітер: ±20 В
- Заряд затвора: 24 нКл
- Корпус: TO220FP
- Кількість у наборі: 10 шт.
Електричні параметри
Максимальна потужність розсіювання — 25 Вт. Напруга затвор-емітер — ±20 В. Заряд затвора — 24 нКл. Транзистор має вбудований антипаралельний діод.