Транзистор IGBT STMicroelectronics STGF30M65DF2 — біполярний транзистор з ізольованим затвором у корпусі TO220FP, тип монтажу — вставний. Основні параметри з найменування TME: 650 В, 30 А, 38 Вт. У наборі 10 шт.

• Параметри з найменування TME: 650 В, 30 А, 38 Вт
• Максимально допустима напруга колектор-емітер: 650 В
• Напруга затвор-емітер: ±20 В
• Заряд затвора: 80 нКл
• Корпус: TO220FP
• Кількість у наборі: 10 шт.

Максимально допустима напруга колектор-емітер — 650 В. Максимальна потужність розсіювання — 38 Вт. Напруга затвор-емітер — ±20 В. Заряд затвора — 80 нКл. Транзистор має вбудований антипаралельний діод.