IGBT-транзистор STMicroelectronics STGD3HF60HDT4 у корпусі DPAK для поверхневого монтажу. Пристрій розрахований на максимальну напругу колектор-емітер 600 В та струм колектора 4,5 А при потужності розсіювання 38 Вт.

• Тип транзистора: IGBT (польовий)
• Максимальна напруга колектор-емітер: 600 В
• Максимальний струм колектора: 4,5 А
• Потужність розсіювання: 38 Вт
• Корпус: DPAK, монтаж поверхневий
• Кількість у наборі: 20 шт.

Транзистор має максимальну напругу колектор-емітер 600 В. Максимально допустимий струм колектора становить 4,5 А. Потужність розсіювання обмежена значенням 38 Вт.

Компонент виконаний у корпусі DPAK із поверхневим типом монтажу (SMD). У конструкції передбачено інтегрований антипаралельний діод.

Товар постачається набором із 20 транзисторів.