Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF35N65DM2 — це польовий транзистор із каналом збагачення, виготовлений за технологією MDmesh™ DM2. Максимальна напруга стік-витік: 650 В, максимальний струм стоку: 20 А.

• Тип транзистора: N-MOSFET (польовий)
• Максимальна напруга стік-витік: 650 В
• Максимальний струм стоку: 20 А
• Опір у відкритому стані: 110 мОм
• Корпус: TO220FP
• Кількість у комплекті: 5 шт.

Максимально допустима напруга стік-витік становить 650 В, що визначає робочий діапазон пристрою. Максимально допустимий струм стоку дорівнює 20 А, а імпульсний струм може досягати 90 А. Опір у відкритому стані (Rds) — 110 мОм. Максимальна потужність розсіювання — 40 Вт.

Транзистор виконаний у корпусі TO220FP із вставним типом монтажу. Максимально допустима напруга затвор-витік обмежена значенням 25 В. Заряд затвора становить 56,3 нКл.

Транзистор має збагачуваний канал (wzbogacany) та є уніполярним (unipolarny).