Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STB55NF06LT4 — це польовий транзистор з каналом збагачення (unipolarny) у корпусі D2PAK. Комплект складається з 20 одиниць. Основні параметри: максимальна напруга стік-витік 60 В, струм стоку 39 А, потужність розсіювання 95 Вт.

• Тип транзистора: польовий (N-MOSFET)
• Максимальна напруга стік-витік: 60 В
• Максимальний струм стоку: 39 А
• Потужність розсіювання: 95 Вт
• Опір у відкритому стані: 20 мОм
• Корпус: D2PAK, поверхневий монтаж
• Кількість у комплекті: 20 шт.

Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-витік 60 В та максимально допустимий струм стоку 39 А. Максимальна потужність розсіювання становить 95 Вт. Опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 20 мОм. Максимально допустима напруга затвор-витік — 16 В.

Виріб виконаний у поверхневому монтажі у корпусі D2PAK. Використовується технологія SuperMesh™. Тип монтажу — поверхневий.

У комплекті постачається 20 транзисторів. Версія компонента позначена як ESD.