Основні
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 50 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 60 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 133 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 3 mOm |
Додаткові характеристики
| Стан | Новий |
Основні
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
Користувальницькі характеристики
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | DFN5 |
N-MOSFET транзистор ONSEMI NVMFS5C638NLT1G у корпусі DFN5. Пристрій має максимальну напругу стік-витік 60 В та струм стоку 133 А. У комплекті поставляється 10 одиниць.
- Тип транзистора: N-MOSFET (польовий)
- Максимальна напруга стік-витік: 60 В
- Максимальний струм стоку: 133 А
- Потужність розсіювання: 50 Вт
- Корпус: DFN5 (поверхневий монтаж)
- Кількість у комплекті: 10 шт.
Транзистор є польовим (MOSFET) з каналом типу «wzbogacany» (збагачуваний). Максимально допустима напруга стік-витік становить 60 В, а напруга затвор-витік — 20 В. Максимальний постійний струм стоку дорівнює 133 А, при цьому імпульсний струм може досягати 811 А. Опір у відкритому стані (Rds) — 3 мОм.
Потужність та конструкціяМаксимальна потужність розсіювання транзистора — 50 Вт. Прилад виконаний у поверхневому корпусі DFN5. Заряд затвора становить 40,7 нКл.
Полярність та тип каналуТранзистор є уніполярним (polaryzacja: unipolarny) з каналом типу «wzbogacany» (збагачуваний). Ці характеристики визначають принцип роботи пристрою та його поведінку в електричних колах.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI NVMFS5C638NLT1G, 60 В, 133 А, DFN5 (набір 10 шт.)
- Як післяплата, тільки без переплат
- Повернем гроші, якщо щось піде не так
- Bigl гарантує безпеку