Транзистор N-MOSFET від бренду BASiC SEMICONDUCTOR, модель B2M065120Z. Це напівпровідниковий прилад на основі технології SiC з максимальним струмом стоку 33 А та напругою 1200 В. У комплекті поставляється 2 штуки.

• Тип транзистора: N-MOSFET, польовий
• Технологія: SiC (карбід кремнію)
• Максимальна потужність: 250 Вт
• Струм стоку: 33 А (імпульсний 85 А)
• Корпус: TO247-4, виведення Кельвіна
• Комплектація: 2 шт.

Прилад є польовим транзистором з каналом збагачення (enhancement mode). Максимальна потужність розсіювання становить 250 Вт. Максимально допустимий струм стоку дорівнює 33 А, а імпульсний струм — 85 А. Опір у відкритому стані (Rds) — 65 мОм.

Транзистор виготовлений за технологією SiC (карбід кремнію) у корпусі TO247-4. Тип монтажу — вставний (through-hole). Корпус має виведення Кельвіна. Максимально допустима напруга затвор-витік — 18 В. Заряд затвора становить 60 нКл. Полярність транзистора — уніполярна.