Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW21N150K5 — це силовий напівпровідниковий прилад у корпусі TO247 для монтажу на плату (THT). Комплект складається з 2 штук.
- Напруга дрена-джерела: 1500 В
- Струм дрена: 8,7 А
- Потужність розсіювання: 446 Вт
- Корпус: TO247, монтаж THT
- Технологія: MDmesh™ K5, версія ESD
- Комплектація: 2 шт.
Висока напруга та струм
Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела 1500 В та постійний струм дрена 8,7 А.
Технологія MDmesh™ K5
Прилад виготовлений за технологією MDmesh™ K5. Версія ESD.
Потужність розсіювання
Максимальна потужність розсіювання становить 446 Вт. Опір у стані провідності дорівнює 0,7 Ом. Транзистор є уніполярним із каналом типу збагачення. Напруга затвор-джерело становить ±30 В.