IGBT-транзистор STGP30H60DFB від STMicroelectronics у корпусі TO220AB. Комплект складається з 10 одиниць. Характеризується напругою колектор-емітер 600 В та струмом колектора 30 А.
- Напруга колектор-емітер: 600 В
- Струм колектора: 30 А (постійний), 120 А (імпульсний)
- Розсіювана потужність: 260 Вт
- Корпус: TO220AB, монтаж THT
- Вбудований антипаралельний діод
- Комплектація: 10 шт.
Електричні параметри
Транзистор працює з напругою колектор-емітер до 600 В та постійним струмом колектора 30 А. У імпульсному режимі струм може досягати 120 А. Максимальна розсіювана потужність становить 260 Вт.
Особливості конструкції
Компонент має вбудований антипаралельний діод. Напруга затвор-емітер обмежена ±20 В, а заряд затвора — 149 нКл. Монтаж виконується методом THT (скрізь отвори), корпус TO220AB.